Número de Producto del Fabricante:
TSM200N03DPQ33 RGG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM200N03DPQ33 RGG-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 20A (Tc) 20W Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Inventario:
14655 Pcs Nuevos Originales En Stock
12898294
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
TSM200N03DPQ33 RGG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
345pF @ 25V
Potencia - Máx.
20W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-PDFN (3x3)
Número de producto base
TSM200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
TSM200N03DPQ33RGGCT
TSM200N03DPQ33RGGTR
TSM200N03DPQ33 RGGDKR
TSM200N03DPQ33RGGDKR
TSM200N03DPQ33 RGGTR
TSM200N03DPQ33 RGGCT
TSM200N03DPQ33 RGGDKR-DG
TSM200N03DPQ33 RGGTR-DG
TSM200N03DPQ33 RGGCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSS138DWQ-13
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
DMPH6050SSDQ-13
MOSFET 2P-CH 60V 5.2A 8SO
DMN3055LFDB-13
MOSFET 2N-CH 5A 6UDFN
